Современная электроника, в частности, требует поверхностей очень высокой степени плоскостности и гладкости. Обработка почти достигла предела, когда шероховатость сравнима с отдельными атомами. Оптические (световые) методы почти не работают. Использование рентгеновского излучения с длиной волны порядка размера атома в режиме относительных измерений (см. подробнее) позволяет существенно облегчить решение этой проблемы.
8p06=А.Г.Турьянский, Л.В.Великов, А.В.Виноградов, И.В.Пиршин.
"Рентгеновский рефлектометр".
Патент РФ2129698,1998, МКИ G01B 15/00
9s17=A.V.Vinogradov, A.G.Touryanski, I.V.Pirshin, R.M.Feschenko.
"Two-Wave x-ray method for characterization of super-smooth substrates
and thin films".
SPIE's 44th Annual Meeting and Exhibition,18-23 July 1999, Delaver,
Colorado,USA, p.48.
текст
2t53-47txtvar=A.G. Touriyanski, I.V. Pirshin, N.L. Popov, YuA. Uspenski, A.V. Vinogradov.
"Relative X-Ray Reflectometry for Characterization of Nanostructures".
Proceedings of the 5th ISTC Seminar Nanotechnologies in the Area of Physics, Chemestry and Biotechnology. S-Petersburg, Russia, May 27-29, 2002, pp 316-20.
аннотация, текст